SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB

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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 29
    Autour de -4% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    12.4 left arrow 6.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.9 left arrow 3.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 8500
    Autour de 1.51 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    29 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    6.9 left arrow 12.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    3.8 left arrow 8.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    865 left arrow 2133
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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