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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
3.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
8500
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.9
12.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.8
8.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
12800
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
865
2133
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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