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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.4
6.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
3.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
29
28
Velocidade de leitura, GB/s
6.9
12.4
Velocidade de escrita, GB/s
3.8
8.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
12800
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
865
2133
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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