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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Confronto
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.4
6.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
3.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
8500
Intorno 1.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
29
28
Velocità di lettura, GB/s
6.9
12.4
Velocità di scrittura, GB/s
3.8
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
12800
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
865
2133
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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