RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
6.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
3.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
8500
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.9
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
3.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
12800
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
865
2133
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link