RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
45
Autour de 2% latence réduite
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
45
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2943
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link