RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
62
Autour de -29% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
1,658.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
48
Vitesse de lecture, GB/s
4,216.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,658.4
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
688
3047
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link