RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
50
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
1944
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link