RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
50
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3419
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6000J4040F16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link