RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
50
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3419
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link