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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2051
2256
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaison des RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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