RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.2
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
12.7
Скорость записи, Гб/сек
7.2
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
2256
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link