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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.2
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
12.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
6.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2051
2256
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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