RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
9.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
12.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
45
Velocità di lettura, GB/s
12.6
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2079
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link