RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
42
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
28
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
3359
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link