RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno 35% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.5
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
8500
Intorno 1.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
28
43
Velocità di lettura, GB/s
10.9
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
12800
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1668
1993
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link