RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
8500
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
43
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
12800
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
1993
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link