Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 43
    Wokół strony 35% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.5 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.8 left arrow 7.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 8500
    Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 43
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.9 left arrow 12.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.1 left arrow 8.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1668 left arrow 1993
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania