RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
8500
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
28
43
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
12.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
12800
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
1993
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link