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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HX316C10F/8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno 25% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston HX316C10F/8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
36
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2245
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
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