RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Kingston HX316C10F/8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HX316C10F/8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2245
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link