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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Kingston HX316C10F/8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston HX316C10F/8 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2245
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HX316C10F/8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX316C10F/8 8GB
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