Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB против Kingston HX316C10F/8 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 36
    Около 25% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.7 left arrow 13.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.2 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.2 left arrow 14.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.9 left arrow 9.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2245 left arrow 2585
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения