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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Note globale
Kingston HX316C10F/8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston HX316C10F/8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2245
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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