Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 36

Autour de 25% latence réduite

Raisons de considérer
Kingston HX316C10F/8 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.7 13.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.2 8.9

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2245 2585

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns