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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
92
Intorno -254% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.3
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
26
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
5.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
1884
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
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