RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
92
Около -254% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.3
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
11.8
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
5.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
1884
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link