RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
92
Autour de -254% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.3
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
5.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
1884
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link