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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
92
Intorno -197% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
31
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2816
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
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