Confronto tra le RAM Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 30

Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

11.7 8.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.4 5.6

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1578 1344

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns