RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.7
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
8.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1578
1344
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link