RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
71
Intorno -129% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
31
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2447
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link