RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2447
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G3S160BM.C16FED 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-CG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link