RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2447
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link