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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
139
Intorno 82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
139
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
1152
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
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