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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
58
Intorno -176% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
21
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3332
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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