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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
58
左右 -176% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
21
读取速度,GB/s
4,241.0
16.6
写入速度,GB/s
1,950.7
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3332
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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