RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3096
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link