RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
75
77
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
75
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1735
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link