RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
75
77
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
75
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
7.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1735
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link