RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3495
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link