RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
77
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
23
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3171
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link