RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3199
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link