RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
77
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.7
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.2
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
39
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
8.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
6.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1842
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link