RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
77
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.7
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1842
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link