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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
77
Intorno -51% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
51
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2387
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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