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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
77
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
50
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2393
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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