RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
77
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
50
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2393
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link