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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
54
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
31
Velocità di lettura, GB/s
9.2
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2236
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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