RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2236
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link