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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
54
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
31
读取速度,GB/s
9.2
13.9
写入速度,GB/s
8.1
8.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2236
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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