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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
104
Intorno -247% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
30
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3568
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
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