RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
104
Около -247% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3568
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link